Специалисты Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" разработали двумерный магнит, способный усовершенствовать электронику на кремниевой основе за счет расширения функций и уменьшения размеров таких устройств, сообщили ТАСС в пресс-службе научного центра.
Магнит состоит из нескольких монослоев, которые, в свою очередь, сочетают в себе слои атомов алюминия, чередующихся с атомами кремния. Их также дополняет слой атомов гадолиния, обеспечивающих магнитные свойства системы.
"Для синтеза материала был разработан оригинальный подход, основанный на стабилизации слоистых структур в 2D-пределе. Метод позволяет контролировать толщину <…> [материала] с точностью до монослоя. Благодаря этому удалось получить ультратонкие пленки с толщиной от одного до десяти монослоев. Варьируя толщину, можно получать материалы с различными функциональными характеристиками. Поэтому разработка открывает широкие перспективы для синтеза целой серии новых материалов наноэлектроники и спинтроники", — сообщили в Курчатовском институте.
Авторы создали условия для объединения магнита с кремниевой платформой, используемой в распространенных сегодня электронных устройствах, за счет метода синтеза, в котором кремниевая подложка служит реагентом.
"Возникающая химия низких размерностей дает возможность получать ранее неизвестные вещества. Это то, чем можно и нужно пользоваться при дизайне материалов электроники. Именно такой подход позволил нам синтезировать новый двумерный магнит <…>, технологичный материал с интересными функциональными свойствами", — рассказал руководитель проекта Андрей Токмачев, ведущий научный сотрудник лаборатории новых элементов наноэлектроники Курчатовского комплекса НБИКС — природоподобных технологий, чьи слова приводит пресс-служба института.
Результаты работы, поддержанной грантом Российского научного фонда, опубликованы в журнале Small.
