Ученые из Кореи под руководством профессора Шинхюна Чхи из Школы электротехники КАИСТ разработали новое устройство памяти на основе фазового перехода, обладающее ультранизким энергопотреблением. Это устройство, описанное в журнале Nature, может заменить DRAM и NAND память, обладая при этом низкой стоимостью и экстремально низким энергопотреблением.
Ранее существующие устройства фазового перехода страдали от дорогостоящего процесса изготовления и требовали значительного энергопотребления. Однако благодаря разработке профессора Чхи, ученые смогли создать устройство памяти с низким энергопотреблением, формируя фазовые материалы в крайне малых областях. Это позволило снизить энергопотребление в 15 раз по сравнению с традиционными устройствами фазового перехода.
Устройство памяти на основе фазового перехода объединяет преимущества как DRAM, так и NAND памяти, обеспечивая высокую скорость. Это делает его потенциально перспективным для замены существующих видов памяти и внедрения в системы нейроморфного вычисления, имитирующие работу человеческого мозга.
© The Korea Advanced Institute of Science and Technology
