TSMC и Тайваньский научно-исследовательский институт промышленных технологий (ITRI) совместно разработали микросхему массива спин-орбитальной магнитной памяти с произвольным доступом (SOT-MRAM), что знаменует собой значительный прогресс в технологии энергонезависимой памяти. Новый чип может похвастаться удивительным энергопотреблением, которое составляет всего 1% от обычного спин-трансферного момента (STT) MRAM, а также исключительно низкой задержкой.
SOT-MRAM, тип энергонезависимой памяти, способен произвести революцию в компьютерной индустрии, обеспечив более энергоэффективную и быструю альтернативу существующим технологиям памяти. По сравнению с SRAM, которая обычно используется для кэшей и приложений внутренней памяти, SOT-MRAM обладает более высокой плотностью и не потребляет энергии, когда не используется, что делает ее идеальной для центров обработки данных и приложений с питанием от батарей. Кроме того, SOT-MRAM демонстрирует задержки, сравнимые с DRAM, и значительно быстрее, чем 3D NAND Flash.
«Эта ячейка обеспечивает одновременное низкое энергопотребление и высокую скорость работы, достигая скорости 10 нс», — заявил доктор Ши-Чиех Чанг, генеральный директор Лаборатории исследований электронных и оптоэлектронных систем ITRI. Общая вычислительная производительность может быть еще больше увеличена при интеграции с вычислениями в схему памяти. В перспективе эта технология может найти применение в высокопроизводительных вычислениях (HPC), искусственном интеллекте (AI), автомобильных чипах и т. д.
